B.B. Voitsekhovskii: шукати на сайті Z-Library

A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh

Рік:

1970

Мова:

english

Файл:

PDF, 230 KB

english, 1970

Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators

Журнал:

B. K. Ganelich, L. M. Bilyi, V. E. Ryabtsev, N. I. Voitsekhovskii

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 999 KB

english, 2012

Physical, chemical and optical properties of barium nitrate Raman crystal

P.G. Zverev, T.T. Basiev, V.V. Osiko, A.M. Kulkov, V.N. Voitsekhovskii, V.E. Yakobson

Журнал:

Optical Materials

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 681 KB

english, 1999

Corrosion-mechanical strength of 25Kh2MFBD steel in A 3% aqueous solution of sodium chloride

Журнал:

Materials Science (Springer)

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 322 KB

english, 1989

The fictitious domain method

S. A. Voitsekhovskii

Журнал:

Voĭtsekhovskiĭ, V. N., Mochalov, I. V., Yakobson, V. É.

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 231 KB

english, 1992

Study of the local inhomogeneities Δχ^(2) of the quadratic nonlinear susceptibility tensor in KTiOPO_4 crystals

Журнал:

Journal of Optical Technology

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 252 KB

english, 2009

Modelling the determination of the thermodynamic parameters of a high-temperature gaseous volume by a passive remote method

Voĭtsekhovskiĭ, A. V., Voĭtsekhovskaya, O. K., Kashirskiĭ, D. E., Suslova, I. S.

Журнал:

Journal of Optical Technology

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 107 KB

english, 2010

An Investigation into the Effect of High-Power Pulse IR Radiation on the Properties of Surfaces of CdxHg1–хTe Heteroepitaxial Layers

Boltar’, K. O., Burlakov, I. D., Voitsekhovskii, А. V., Sizov, А. L., Sredin, V. G., Talipov, N. Kh., Shul’ga, S. А.

Журнал:

Russian Physics Journal

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 999 KB

english, 2013

Photoelectrical characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy

Voitsekhovskii, A.V., Nesmelov, S.N., Dzyadukh, S.M.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 823 KB

english, 2014

Admittance of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Voitsekhovskii, A.V., Nesmelov, S.N., Dzyadukh, S.M., Vasil’ev, V.V., Varavin, V.S., Dvoretsky, S.A., Mikhailov, N.N., Yakushev, M.V.

Журнал:

Soviet Journal of Quantum Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 682 KB

english, 2015

Coagulation and destruction of biological tissues by radiation from a CO laser with a fiber-optic cable

Abakumov, A O, Aleĭnikov, V S, Artyushenko, V G, Belyaev, V P, Butvina, L N, Bogush, L K, Voĭtsekhovskiĭ, V V, Devyatkov, N D, Dianov, Evgenii M, Dobkin, V G, Masychev, V I, Prokhorov, A M, Sysoev, V

Журнал:

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.25 MB

english, 1985

Dopant in Near-Surface Semiconductor Layers of Metal–Insulator–Semiconductor Structures Based on Graded-Gapp-Hg0.78Cd0.22Te Grown by Molecular-Beam Epitaxy

Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Dzyadukh, S. M.

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.35 MB

english, 2016

SPIE Proceedings [SPIE SPIE Proceedings - (Sunday 12 February 2012)] - Spectral detectivity and NETD of doping-spike PtSi-p-Si and HIP GeSi-Si detectors

Voitsekhovskii, Aleksander V., Kokhanenko, Andrej P., Nesmelov, Sergey N., Rutkowski, Jaroslaw, Rogalski, Antoni

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 259 KB

english, 2012

Electrical characterizations of MIS structures based on variable-gap n(p )-HgCdTe grown by MBE on Si(0 1 3) substrates

Voitsekhovskii, A.V., Nesmelov, S.N., Dzyadukh, S.M., Varavin, V.S., Dvoretskii, S.A., Mikhailov, N.N., Yakushev, M.V., Sidorov, G.Yu.

Журнал:

Lozovoy, Kirill A., Kokhanenko, Andrey P., Voitsekhovskii, Alexander V.

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.27 MB

english, 2017

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in Ge x Si 1- x /Sn/Si and Ge 1-y Sn y /Si systems

Журнал:

Surface Science

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 841 KB

english, 2018

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

Voitsekhovskii, A V, Izhnin, I I, Syvorotka, I I, Korotaev, A G, Mynbaev, K D, Varavin, V S, Dvoretsky, S A, Marin, D V, Mikhailov, N N, Remesnik, V G, Yakushev, M V

Журнал:

Journal of Physics Conference Series

Рік:

2018

Файл:

PDF, 5.99 MB

2018

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

Voitsekhovskii, A V, Izhnin, I I, Syvorotka, I I, Korotaev, A G, Mynbaev, K D, Varavin, V S, Dvoretsky, S A, Marin, D V, Mikhailov, N N, Remesnik, V G, Yakushev, M V

Журнал:

Journal of Physics Conference Series

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.99 MB

english, 2018

Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates

Voitsekhovskii, A.V., Nesmelov, S.N., Dzyadukh, S.M., Dvoretsky, S.A., Mikhailov, N.N., Sidorov, G.Yu., Yakushev, M.V.

Журнал:

Voitsekhovskii, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Novikov, Vadim A., Dzyadukh, Stanislav M., Kopylova, Tatyana N., Ivonin, Ivan V., Degtyarenko, Konstantin M., Tereshchenko, Evgeny V.

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.62 MB

english, 2019

Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9–300 K

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.75 MB

english, 2019

Investigation of the Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of the Near-Surface Layer of MBE n-HgCdTe Using MIS Techniques

Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Dzyadukh, S. M., Varavin, V. S., Dvoretsky, S. A., Mikhailov, N. N., Sidorov, G. Y., Yakushev, M. V., Marin, D. V.

Журнал:

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.88 MB

2020

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Korotaev, A.G., Voitsekhovskii, A.V., Izhnin, I.I., Mynbaev, K.D., Nesmelov, S.N., Dzyadukh, S.M., Varavin, V.S., Dvoretsky, S.A., Mikhailov, N.N., Yakushev, M.V., Sidorov, G.Y.

Журнал:

Surface and Coatings Technology

Рік:

2020

Файл:

PDF, 970 KB

2020

Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in nâ and pâtype Hg0.8Cd0.2Te

Izhnin, I.I., Mynbaev, K.D., Swiatek, Z., Morgiel, J., Voitsekhovskii, A.V., Korotaev, A.G., Varavin, V.S., Dvoretsky, S.A., Marin, D.V., Yakushev, M.V., Fitsych, O.I., Bonchyk, O.Yu., Savytskyy, H.V.

Журнал:

Lozovoy, Kirill A., Zhou, Ying, Smith, Roger, Lloyd, Adam, Kokhanenko, Andrey P., Dirko, Vladimir V., Akimenko, Nataliya Yu., Grigoryev, Denis V., Voitsekhovskii, Alexander V.

Рік:

2020

Файл:

PDF, 4.22 MB

2020

Thickness-dependent surface energy and formation of epitaxial quantum dots

Журнал:

Dr. A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, A. S. Petrov, Yu. V. Lilenko, A. D. Pogrebnyak

Рік:

2020

Файл:

PDF, 3.04 MB

2020

Investigation of radiation defects in electron irradiated Hg1−xCdxTe crystals using positron annihilation

Журнал:

Crystal Research and Technology

Рік:

1988

Мова:

english

Файл:

PDF, 326 KB

english, 1988

Estimation of the rate of convergence of difference schemes for quasilinear elliptic equations of the fourth order

S.A. Voitsekhovskii, V.L. Makarov, V.N. Novichenko

Журнал:

USSR Computational Mathematics and Mathematical Physics

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 141 KB

english, 1985

The convergence of difference solutions to the generalized solutions of the dirichlet problem for the helmholtz equation in a convex polygon

S.A. Voitsekhovskii, V.L. Makarov, T.G. Shablii

Журнал:

USSR Computational Mathematics and Mathematical Physics

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 492 KB

english, 1985

Estimates of the rate of convergence of difference schemes for variational elliptic second-order inequalities in an arbitrary domain

S.A. Voitsekhovskii, I.N. Gavrilyuk, V.S. Sazhenyuk

Журнал:

USSR Computational Mathematics and Mathematical Physics

Рік:

1986

Мова:

english

Файл:

PDF, 597 KB

english, 1986

Limit of the rate of convergence of difference schemes for the first boundary-value problem of elasticity theory in the anisotropic case

S.A. Voitsekhovskii, V.M. Kalinin

Журнал:

USSR Computational Mathematics and Mathematical Physics

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 317 KB

english, 1989

Effectiveness of the use of high impact energies for breaking hard ledge rocks : 4F, 1T, 8R. Soviet Min. Sci. V9, N4, July–Aug. 1973, P373–376

B.V. Voitsekhovskii, L.A. Mitin, F.F. Voitsekhovskaya

Журнал:

International Journal of Rock Mechanics and Mining Sciences & Geomechanics Abstracts

Рік:

1974

Мова:

english

Файл:

PDF, 119 KB

english, 1974

Long-term room-temperature relaxation of the defects induced in (Hg,Cd)Te by low-energy ions

I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, M. Pociask, R.Ya. Mudryy, A.V. Voitsekhovskii, N.Kh. Talipov

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 184 KB

english, 2009

A model for the prediction of radiation defect profiles in the semiconductor target (HgCdTe) subjected to high power short pulsed ion beams

A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, S.A. Shulga, Roger Smith

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 538 KB

english, 2005

Investigation of the structure of detonation waves in gases

B.V. Voitsekhovskii, V.V. Mitrofanov, M.E. Topchian

Журнал:

Symposium (International) on Combustion:

Рік:

1969

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.94 MB

english, 1969

Cathodoluminescence characterization of a compound semiconductornative dielectric interface

N.N. Berchenko, I.I. Izhnin, V.P. Savchyn, J.M. Stakhira, A.V. Voitsekhovskii

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 387 KB

english, 1997

Polarization, spectral, and temperature characteristics of the photon drag effect in p-GaAs

A. V. Voitsekhovskii, V. V. Antonov

Журнал:

A. V. Voitsekhovskii, Yu. V. Lilenko

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 545 KB

english, 1981

Recombination effects in narrow-gap semiconductors p-Hg1−xCdxTe

Журнал:

V. G. Artyushenko, V. V. Voitsekhovskii, L. S. Kornienko, I. S. Lisitskii, A. O. Rybaltovskii

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 408 KB

english, 1981

Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 pm Range

Журнал:

A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenro, A. S. Petaov

Рік:

1984

Мова:

english

Файл:

PDF, 338 KB

english, 1984

Radiation defect annealing of electron irradiated Hg1−xCdxTe crystals under various thermal treatments

Журнал:

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 716 KB

english, 1985

Radiation-induced defects in implanted Hg1–xCdxTe crystals

Yu. V. Lilenko, K. V. Shastov, A. S. Petrov, A. V. Voitsekhovskii, V. S. Kulikauskas, N. V. Kuznetsov, A. P. Mamontov

Журнал:

S. S. Grigorov, G. P. Vlasov, L. Z. Khazen, V. N. Ryadinskii, I. F. Voitsekhovskii

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 619 KB

english, 1989

A new myocardial electrode design

Журнал:

Biomedical Engineering

Рік:

1970

Мова:

english

Файл:

PDF, 163 KB

english, 1970

Recrystallization of alloy KhN70MVYu

V. I. Ryabov, V. A. Voitsekhovskii

Журнал:

Metal Science and Heat Treatment

Рік:

1979

Мова:

english

Файл:

PDF, 155 KB

english, 1979

A cold vitreous compound with fine purification of the surfaces

B. V. Voitsekhovskii, Yu. A. Dudin, É. Z. Mamleev

Журнал:

B. V. Voitsekhovskii, B. I. Mikhailov

Рік:

1971

Мова:

english

Файл:

PDF, 181 KB

english, 1971

Effect of high pressure on pore formation

Журнал:

A. I. Voitsekhovskii, M. A. Shumik

Рік:

1970

Мова:

english

Файл:

PDF, 579 KB

english, 1970

Stability of cylindrical shells under dynamic isotropic compression

Журнал:

International Applied Mechanics

Рік:

1976

Мова:

english

Файл:

PDF, 235 KB

english, 1976

The earth's negative charge

B. V. Voitsekhovskii, M. B. Voitsekhovskii

Журнал:

Рік:

1979

Мова:

english

Файл:

PDF, 195 KB

english, 1979

Comparison of prospective energy sources with those in use

B. V. Voitsekhovskii

Журнал:

B. V. Voitsekhovskii, V. L. Istomin, A. D. Kryuchkova, O. A. Maikov

Рік:

1980

Мова:

english

Файл:

PDF, 537 KB

english, 1980

Shock working of steel

Журнал:

V. P. Borodin, B. V. Voitsekhovskii

Рік:

1967

Мова:

english

Файл:

PDF, 117 KB

english, 1967

Application of spark photography to the investigation of pulsed high-pressure jets

Журнал:

Рік:

1965

Мова:

english

Файл:

PDF, 763 KB

english, 1965

Approximate solution of third boundary-value problem for second-order elliptic equation in domains of arbitrary shape

S. A. Voitsekhovskii

Журнал:

S. A. Voitsekhovskii, V. L. Makarov

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 195 KB

english, 1992

Difference schemes for the dirichlet problem for an elliptical equation with discontinuous coefficients in an arbitrary region on a regular grid

Журнал:

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 274 KB

english, 1991

Method of fictitious regions for second-order quasilinear elliptical equations

S. A. Voitsekhovskii

Журнал: